人物背后的芯片有几层28nm增产竞赛缺芯只是表面原因
。近几个月，晶圆代工厂相继宣布扩充产能，华虹半导体宣布建设一条工艺等级为90-65/55nm的生产线，台积电、联华电子及中芯国际也纷纷指向了28nm产能扩充。
最早是今年3月18日，中芯国际发布公告称公司与深圳市签订合作框架协议，中芯深圳将重点生产28nm及以上的集成电路和提供技术服务，最终实现每月约4万片12吋晶圆产能，预计项目投资金额23.5亿美元（折合152.75亿元人民币）。
4月份，台积电宣布斥资28.87亿美元（折合187.19亿元人民币）扩充南京台积电28nm产能，预计达到美元4万片的生产规模。紧接着，联电也召开线上会议，宣布投资约135.3亿元人民币扩充在台南科学园区的12吋厂Fab12的28nm产能。
这几家宣布扩产的代工厂，都预计将在2022年开始正常生产。十多年前开发出的28nm工艺制程，在5nm先进制程被广泛用在智能手机上的今天，它依然热度不减，并引发各个晶圆厂之前新一轮竞争。
值得注意的是，这次28nm产能的集体扩充，与当下备受关注的缺芯潮并无太大直接联系。代工巨头台积电“转折点”仍然是在摩尔定律推动下，其发展到2010年左右时期所处位置，以及IDM公司剥离制造业务或更多资源投入设计领域给予其发展空间。
事实上，当时业界普遍转向了能够降低漏电问题更严重的情况下的HKMG（高-k绝缘层+金属栅极）叠层技术。而选择HKMG晶体管结构上则分成了两大阵营，一家是以IBM为首Gate-First工作流派，其支持者还有英飞凌、NEC、三星和意法半导体等；另一家是以Intel、台积電为代表Gate-Last工作流派。这两种工作流派都有需要攻克难点，如前者的PMOS门限压力控制困难，而后者需要设计环节配合修改来提升密度。
尽管双方都声称自己的工作流更适合，但未有实际产品证明谁更优越。在HKMG上的选择让台积電大获全胜，将彼时最大競爭對手三星远远甩在身后。在迅速轉向於2012年的HKMG之后，对于那一年财报会表示：该年度实现创纪录营收和利润，大幅增长30%出货量，是去年的增长量之二倍。但到了2013年，由于先发优势快速抢占客户资源市场份额超过80%而稳固地位。
虽然摩尔定律指出处理器性能每隔两年翻一倍，但并不意味着旧节点就失去存在意义，对于这个黄金节点而言，更是不容忽视。此外，这些订单持续爆满，不仅因为客户愿意使用成熟且成本较低制造，而且由于8寸晶圆利用率升高且数量大幅减少，因此原本可以用更加成熟制程制作电子产品也往此迁移。
总结来说，即使没有缺芯潮，也会选择扩展这种对行业共识深刻影响的一步行动，因为未来半导体产业整体用量继续增加，从车辆到能源等方面，用到此类设备的人群数量众多，其中很多人还无法满足需求。此次短暂性的危机只是加速这一过程，让大家意识到必须采取行动解决问题。
