三星准备在2023年下半年大规模生产面向AI的高带宽存储芯片
6月27日消息，三星近日计划于2023年下半年开始大规模生产面向人工智能(AI)应用的高带宽存储芯片。根据外媒KoreaTimes的报道，三星的目标是迎头赶上在AI存储芯片市场迅速取得领先地位的SK海力士。
据了解，2022年SK海力士在高带宽存储(HBM)市场占有约50%的份额，而三星则占有约40%的份额，美光占有剩余的10%。尽管HBM市场整体规模不大，仅占据整个动态随机存取存储器(DRAM)市场的约1%，但随着AI市场的增长，对HBM解决方案的需求预计将会增加。
据了解，三星的战略是迎头赶上SK海力士，并大规模生产面向AI的HBM3芯片以应对市场变化。当前，应用人工智能的存储芯片正在变得越来越普遍，高带宽存储解决方案也备受关注。
此前，有消息称，三星已赢得AMD和谷歌作为其客户，将在其第三代4纳米工艺节点上制造谷歌的Tensor 3芯片。此外，有传闻称三星即将推出Exynos 2400 SoC芯片，也有可能是采用4纳米工艺制造。
